SK海力士將在世界上首次批量生產128層4D(四維)Nand閃存(圖)。在全球半導體景氣低迷的情況下，SK海力士向被評為相對脆弱的NAND閃存市場推出了新產品。也就是說，在半導體“超級周期”受挫，美國美光科技等主要企業紛紛減產的情況下，公司期待通過技術力量正面突破危機。
SK海力士26日表示，將在世界上首次開發和量產128層1Tb級的TLC(Triple-Level cell，三層單元格)4D Nand閃存。這是自去年10月開發第96段4D Nand閃存以後，時隔8個月取得的成果。
今年下半年(7~12月)量產的128層1Tb級NAND閃存，每單位面積堆積最多的NAND Cell，集成了3600億個以上。在占據NAND市場85%以上的TLC產品中，SK海力士是第一個推出1Tb級產品的公司。如果使用該產品，目前占大多數的256GB和512GB智能手機容量將擴大到2TB。因為通過大規模閃存減少NAND個數，消費電量會降低，智能手機的厚度也會變薄。
SK海力士利用與現有相同的4D平臺開發了產品。通過優化工序，在96層的基礎上增加32層，將整體工序數減少5%。SK海力士方面表示：“轉換成128層NAND閃存時所花費的投資費用比之前新老交替時所花費的費用節省了60%。充分利用現有的工序平臺，在8個月內開發出128層產品，意義重大。”
半導體業界認為，此前一直以DRAM為中心的SK海力士推出高容量、高配置的NAND產品，將成為其積極進軍NAND市場的契機。SK海力士今年第一季度(1~3月)的銷售額中，DRAM占據了79%左右。在全球DRAM市場，也緊隨三星其後，占據著第2的位置。但是SK海力士在NAND閃存方面的銷售比重不到20%，因此一直被指責在NAND領域多少有些薄弱。
據著名市場調查機構IHS Market透露，今年第一季度NAND市場占有率排名第一的是三星電子(34.1%)，排名第二至第五位的分別是日本東芝(18.1%)、美國威斯頓數碼(15.4%)和美光(12.9%)、SK海力士(9.6%)。
SK海力士計劃從下半年開始銷售此次開始量產的128層4D Nand閃存，並接連推出多種解決方案產品。另外，公司還將開發176層4D NAND產品等，持續強化NAND事業競爭力。業內人士認為，此次產品有望攻克進入雲數據中心的企業用固態硬盤(SSD)、以及需要高容量存儲的第五代(5G)移動通信智能手機的需求。
SK海力士負責GSM的副社長吳鐘勛(音)表示：“SK海力士以128層4D Nand閃存確保了NAND事業的根本競爭力。通過具體實現業界最高疊層、最高容量的該產品，適時提供顧客們希望得到的多種解決方案。”
許桐準 hungry@donga.com
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