SK海力士開發出第三代10納米級DRAM

SK海力士21日表示，開發出了采用第三代10納米級(1z)微細工藝的16Gb DDR4 DRAM(照片)。公司計劃，在今年內完成批量生產準備後，從明年開始正式投入市場供給，預計屆時全球半導體景氣將得到恢復。

SK海力士開發的該產品比第二代產品(1y)提高了約27%的生產效率，而且無需遠紫外線(EUV)曝光工藝也可以生產，大幅改善了成本競爭力。作為10納米級DRAM來說，隨著工藝越來越精細，可分為第一代(1x)、第二代(1y)、第三代(1z)。其原理是，隨著時間的推移，生產的芯片的大小會變小，因此，一張晶片所需的芯片數量會增加，生產效率也會提高。DRAM的標準規格名稱DDR，根據數據處理速度分為DDR3、DDR4等。

SK海力士方面表示，“此次第三代10納米級(1z)DRAM實現了單一芯片標準業界最大容量16Gb，而且采用了前一代生產工藝中不曾使用的特定物質，極大化了DRAM動作的核心要素靜電容量(Capacitance•可以儲藏電荷的量)。”

DRAM開發事業1z課題組(TF)負責人李正勛(音)表示：“第三代10納米級(1z)DDR4 DRAM在具備業界最高水平的容量和速度的基礎上，再加上電力效率，因此這是一款最適合尋找高性能•高容量DDRAM的顧客需求變化的產品。將從明年起開始正式供應，積極應對市場需求。”


徐東一 dong@donga.com