三星電子首次開發出基於HKMG工藝的DRAM

三星電子開發出了比現有產品速度快壹倍以上、耗電量少13%左右的新壹代DRAM存儲器模塊。預計該模塊將安裝在服務器內存上，有助於提高大容量數據中心等的電力效率。

　三星電子25日表示，開發出了使用“HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)”工藝的512GB DDR5內存模塊。DDR5是新壹代DRAM規格，與前壹代DDR4相比，具備了壹倍以上的性能。

　三星電子的DDR5 DRAM擁有7200Mbps(兆位/秒)數據傳輸速度。在1秒內可以傳送2部30GB容量的超高清(UHD)電影。目前DRAM規格的DDR4的最高傳輸速度是3200Mbps，最大容量是256GB。

　三星電子開發的DDR5 DRAM采用了系統半導體制造過程中使用的HKMG工藝，減少了電力消耗。由於采用了減少浪費電流的工藝，與現有的存儲器相比，電力消耗減少了13%左右。三星電子相關人士解釋說：“以制造系統半導體的經驗為基礎，在DRAM制造上也將采用HKMG工藝，可以同時體現高性能和低電力”，“因為電力消耗較少，所以將在大容量數據中心或人工智能(AI)等電力效率重要的地方使用。”

　另外，在壹般使用的DRAM中，首次使用了8段矽貫通電極(TSV)技術。TSV技術是在DRAM芯片上打孔，使芯片之間直接連接，從而大幅提高傳輸速度的技術。三星電子在2014年首次在DDR4內存上使用了4段TSV工藝，推出了64GB到256GB的高容量模塊。


洪錫浩記者 will@donga.com