三星再次進攻，開發出“8納米RF工藝技術”

三星電子開發出了進一步提高第5代(5G)移動通信用半導體代工(委托生産)技術力的新一代工藝技術。三星電子9日表示，成功開發出了新一代“8納米RF工藝技術”。三星電子計劃通過8納米RF代工積極攻占5G通信半導體市場。

三星電子8納米RF工藝的優點是，與之前的14納米工藝相比，RF芯片面積可以減少約35%。電力效率也將提高約35%。半導體業界預測，通過8納米RF工藝技術生産的RF芯片最早將搭載在今年下半年(7~12月)上市的5G旗艦智能手機上。

　RF芯片是將調制解調器芯片發出的數字信號轉換成模擬信號並轉換成無線頻率，反過來也可以傳輸到調制解調器芯片的“無線頻率收發半導體”。由變頻、轉換數字-模擬信號的Logic電路區和起到接收及放大頻率作用的模擬電路區組成。

　半導體業界相關人士表示：“隨著半導體工藝的精細化，Logic電路區的性能會提高，但在模擬區由于窄的線寬，存在電阻增加、消費電力提高的問題”，“三星電子開發出了在使用較少電力的同時也能大幅放大信號的RF專用半導體元件，並應用于8納米RF工藝。”

　有評價稱，通過此次8納米RF工藝技術的開發，三星電子在全世界代工市場上再次證明了其技術實力。特別是在與中國台灣TSMC就最尖端精細工藝主導權展開激烈競爭的情況下取得的成果，因此意義更大。三星電子從2017年至今，以高端智能手機爲中心，出貨5億個以上的移動RF芯片，保持著市場主導權。

　三星電子代工部技術開發室工程師李亨鎮表示，“同時實現工藝精細化和RF性能提升的三星電子8納米基礎RF代工具備小型低電力、高品質通信的優點，可以爲顧客提供最佳解決方案”，“將以最尖端RF代工競爭力爲基礎，積極應對包括5G在內的新一代無線通信市場。”

　三星電子的目標是到2030年爲止占據全球系統半導體市場第一位，以精細工藝技術力及穩定的量産體制爲基礎，持續進行投資。三星電子在全球代工市場占有率方面，繼排在第一位的TSMC(約53%)之後，位居第二(約18%)。


徐東一 dong@donga.com