SK海力士成功開發出世界最高層238層NAND閃存芯片

SK海力士成功開發出了目前NAND閃存半導體中最高層數的238層（堆棧）NAND閃存（照片）。現有的最高層NAND是美國美光公司的232層產品。

2日（當地時間），SK海力士在美國聖克拉拉開幕的世界最大的NAND閃存會議“Flash Memory Summit 2022”上公開了238層512Gb（千兆位）TLC 4D NAND閃存新產品。SK海力士表示，已經向顧客公司供應了相關樣品產品，並計劃在明年上半年（1~6月）開始批量生產。

　此次產品是SK海力士自2020年12月開發176層NAND後，時隔1年7個月推出的成果。雖然是最高層產品，但也是世界上最小的產品，這壹點也引人註目。在當天的會議上，SK海力士NAND開發負責人（副社長）崔正達（音）表示：“本公司通過以4DNAND技術力為基礎開發的238層層堆棧NAND Flash，在成本、性能、品質方面確保了全球頂級水平的競爭力”，“今後為了突破技術局限，將繼續進行革新。”

　非揮發性存儲器半導體NAND閃存是將基本存儲單位“cell”垂直積累的技術能力非常重要的產品。積層段數越高，產品的數據儲存容量就越大，同時在同壹面積的晶片上可以制造出更多的芯片。 SK海力士從2018年開發的96層NAND開始，推出了超越現有3D設計的4D產品。在此過程中，采用了“Peri Under Cell（在Cell下方配置電路的技術）”等最尖端自主技術，提高了生產效率。

　SK海力士解釋說，此次238層新產品與上壹代的176層相比，生產效率提高了34%。數據傳輸速度為每秒2.4Gb，比上壹代加快了50%。相反，芯片讀取數據時使用的能源使用量反而減少了21%。

SK海力士計劃優先出貨用於電腦儲存裝置cSSD（client SSD）的238層產品，之後將產品應用範圍擴大到智能手機用和服務器用高容量SSD等。接著，明年還將推出容量是目前512Gb兩倍的1Tb產品。

　據市場調查企業Trend Force透露，今年第壹季度（1~3月）全球Nan誒閃存市場占有率中，三星電子以35.3%位居第壹，Kioxia（18.9%）位居第二，SK海力士（18.0%）位居第三。其後依次是西部數碼（12.5%）、美光（10.9%）等。


郭道英 now@donga.com