據分析，美國政府最早將於當地時間7日公布限制對華半導體出口的高強度新規定，被解讀為不僅要對人工智能和發揮尖端武器大腦作用的系統半導體，連同用於所有電子產品的存儲器半導體，要全方位封鎖中國的半導體產業。
美國商務部計劃，以適用於中國移動通信企業華為等的“外國直接產品規則”（FDPR）為基礎，要求銷售超出18納米（1納米等於10億分之壹米）以下動態隨機存取存儲器（DRAM）等標準的半導體技術和設備的外國企業另行獲得許可。
據分析，特別是包括中國正在快速追趕的NAND閃存和DRAM等存儲器半導體領域，是拜登政府出口管制措施中最強有力的限制。
此次限制針對的是中國國營半導體企業長江存儲技術公司（YMTC）和長新存儲技術公司（CXMT）。即，切斷目前這兩家企業生產的128層NAND閃存半導體和19納米DRAM半導體以上的技術開發，使中國半導體產業枯死。美國半導體產業相關人士表示：“這相當於對中國半導體產業的地毯式轟炸。”
但據悉，拜登政府允許在中國運營DRAM和NAND閃存生產工廠的三星電子和SK海力士對這種出口限制例外。據悉，韓國政府向拜登政府傳達了韓國半導體企業的憂慮，並就出口限制例外適用進行了磋商。
韓國半導體業界正在密切關註。半導體業界相關人士7日表示：“很難預測具體的業界影響，”“對外國企業的出口如果進行壹件壹審查，影響是有限的。”他解釋說：“美國的目的是降低中國半導體制造競爭力，所以不會以韓國企業為目標。”
但有人擔心，今後在更換和升級半導體設備的過程中，可能會受到限制。在中國當地工廠，三星正在生產40%左右的NAND閃存，SK海力士正在生產約50%的DRAM。分別於2014年、2006年竣工的西安三星電子NAND工廠和無錫SK海力士DRAM工廠直到最近為止，增設設備及更換陳舊設備等追加投資需求仍在持續。華盛頓的消息人士預測：“即使幾年後半導體性能整體提高，拜登政府也不太可能例外地擴大韓國半導體企業中國工廠的設施。”
此外，有觀察人士認為，如果占半導體出口額壹半左右的中國半導體需求被抑制，從長遠來看，韓國半導體企業的收益可能會惡化。
華盛頓=常駐記者文炳基、具特教記者 weappon@donga.com、kootg@donga.com
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