三星電子量產世界最高容量的“1Tb第8代V-NAND閃存”

三星電子7日表示，將批量生產NAND閃存世界最高容量的“1 terabit（Tb•太字節）第8代V-NAND閃存 ”（照片）。此前的10月，三星在美國矽谷舉行的“三星技術日”上公布了年內批量生產第8代V-NAND閃存的計劃，時隔約壹個月就取得了重大進展。

　此次量產的第8代V-NAND閃存最大將支持2.4Gbps（千兆比特每秒）的速度。與第7代V-NAND閃存相比，速度提高了約1.2倍。三星電子計劃以此次第8代V-NAND閃存為先導，在主導新壹代企業用高容量服務器市場的同時，將事業領域擴大到要求高度信賴性的汽車市場。

　今後三星電子的目標是2024年批量生產第9代V-NAND閃存，到2030年開發1000層V-NAND。從7月開始，除了現有的京畿華城、平澤及中國西安的NAND工藝外，京畿平澤3線也開始批量生產NAND，擴大了生產力。

　多種革新技術開發也在持續進行。最具代表性的事例有，最適合數據中心的高性能、低電耗產品和強化固態硬盤（SSD）內部運算功能的“計算機存儲”、能夠更有效地運營大容量存儲的“分區存儲（Zoned Storage）”等。

　三星電子從2002年開始壹直占據全球NAND閃存市場第壹的位置。據市場調查機構Omdia透露，以今年第二季度（4~6月）為基準，三星電子在全球NAND閃存市場的占有率為33.3%，高居第壹。排在第二位的是SK海力士（包括Solidigm•20.4%），第三位是KIOXIA（16.0%）。

　三星電子雖然沒有透露此次第8代V NAND的疊層層數，但業界推測是量產標準的最高層數。競爭公司美光7月宣布批量生產232層NAND，SK海力士8月宣布成功開發238層NAND閃存芯片。

　三星電子存儲器事業部閃存開發室副社長許成會（音）表示：“還確保了控制隨著V-NAND層數增加而產生的幹涉現象的基礎技術，將通過第8代V-NAND滿足市場的需求，提供更加差別化的產品和解決方案。”


郭道英 now@donga.com