SK海力士在世界上首次開發出“12層堆疊DRAM”HBM3

SK海力士在世界上首次開發出了垂直堆疊12個DRAM芯片的現有最高容量24GB（千兆字節）HBM3新產品。計劃攻占因ChatGPT等人工智能（AI）聊天機器人普及等逐漸擴大的AI半導體市場。

SK海力士20日表示：“繼去年6月在世界上首次批量生產HBM3後，此次又成功開發出了容量提高50%的24GB套餐產品。”HBM是將多個DRAM垂直連接起來，比現有的DRAM提高了數據處理速度的產品。現有的HMB3的最大容量是垂直堆疊8個DRAM單品芯片的16GB。

HBM3被評價為能快速處理大量數據的特殊存儲器。可以用於要求高半導體性能的生成型AI，因此大型科技企業對相關產品的需求正在增加。據悉，目前多家全球客戶公司收到了24GB的HBM3樣品，正在進行性能驗證。

SK海力士在此次產品上還采用了高級MR-MUF技術。高級MR-MUF技術是為了保護半導體芯片和芯片之間的電路，在空間之間註入液體形態的保護材料的工藝。SK海力士副社長（P&T負責人）洪尚厚表示：“以世界最先進的後工藝技術力為基礎，可以接連開發出超高速、高容量的HBM產品”，“上半年（1~6月）內完成此次新產品批量生產的準備，將鞏固AI時代最尖端DRAM市場的主導權。”


具特敎 kootg@donga.com