27日（當地時間），三星電子在“三星晶圓代工論壇2023”上發表詳細發表各產品群的2納米量產計劃，可以解釋為已經確保了主要客戶公司。三星電子以Gate All Around（GAA•全環繞柵極晶體管）晶體管技術為基礎的超細微工藝，與臺灣TSMC（臺積電）等不同。
● 三星推出GAA工藝，有望超越TSMC
三星電子半導體（DS）部門負責人（社長）桂京賢最近表示：“顧客對GAA的反應非常好”，“雖然不能提及顧客公司的名字，但幾乎所有值得了解的企業都在壹起工作。”三星電子會長李在镕也在今年上半年（1~6月）接連會見了特斯拉首席執行官（CEO）埃隆•馬斯克、英偉達（NVDA）CEO黃仁勛等，啟動了全球網絡。
在全球晶圓代工（半導體委托生產）戰爭中，後起之秀三星電子今年第壹季度（1~3月）的占有率僅為12%左右。雖然位居世界第二，與占有率超過60%的臺灣TSMC的差距太大。三星電子將新壹代革新技術GAA作為新的武器。GAA是繼現有的“FinFET（鰭式場效應晶體管）”之後出現的新壹代晶體管結構，與FinFET工藝相比，可以提高數據處理速度和電力效率等。三星電子在去年6月批量生產3納米產品時，在世界上首次使用了GAA工藝。去年下半年（7~12月）開始批量生產3納米產品的TSMC采用了現有的FinFET工藝，選擇首先確保穩定的投入產出比率。
對此，很多人評價說，在3納米初期的投入產出率競爭和顧客公司確保戰中，三星電子落後於TSMC。但也有分析認為，如果TSMC首次使用2納米工藝，那麽積累量產經驗的三星將更有利。景社長在上個月的KAIST演講中表示：“目前三星電子的4納米技術力比TSMC落後2年，3納米技術落後1年左右”，“而壹旦TSMC使用2納米工藝，情況會發生轉變。三星有望在5年內超過TSMC。”
● 天文數字般的設備投資競爭非常激烈
設備投資競爭也非常激烈。三星電子正在投資170億美元（約22.2萬億韓元）的美國得克薩斯州泰勒市代工工廠和京畿平澤市代工新生產線將展開“框架優先”速度戰。其戰略是，先從生產線進駐的凈化室開始建設，確保空間後，根據今後的市場需求投入設備。因此，三星電子在2027年擁有的全部凈化室規模將是2021年的7.3倍。今年3月三星發表了20年內在龍仁市投資300萬億韓元構建世界最大規模的系統半導體集群的計劃，27日與政府壹起決定將集群工程時間從7年縮短到5年，縮短2年。
TSMC也在向尖端晶圓代工新工廠投入巨額資金。在美國亞利桑那州投資400億美元建設2個代工廠的同時，在日本熊本也建設86億美元規模的新工廠。此外，熊本第二工廠、德國德累斯頓工廠等也在討論之中。而晶圓代工後起之秀英特爾也接連在美國和歐洲等主要地區發表以萬億為單位的新工廠計劃。
在“2納米工藝”時代即將到來之際，國家間、企業之間展開沒有硝煙的戰爭是因為晶圓代工，其中5納米以下的尖端工藝是承諾高增長的未來核心市場。28日，據市場調查機構Omdia透露，從今年開始到2026年為止，如果全世界半導體市場年均增長9.1%，晶圓代工市場將增長12.9%。5納米以下的尖端工藝銷售額有望年均增長34.8%。據推算，以2026年為基準，整個代工市場將達到1879億美元（約245.7萬億韓元），而5納米以下市場將達到645億美元。
郭道英 now@donga.com
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