與三星電子、SK海力士壹起並稱為三大存儲器企業的美國美光公司將在美國、臺灣、日本、東南亞等地擴充高帶寬存儲器（HBM）生產基地。隨著人工智能（AI）市場的擴大，高性能存儲器HBM的需求劇增，因此迅速擴大了生產量。直到去年，美光在HBM市場的占有率還只有5%左右，但最近隨著展開攻擊性投資，有人提出危機論稱，三星和SK在AI市場的地位可能會比期待的要小。
據《日經亞洲》23日報道，美光公司正在考慮將馬來西亞工廠改編為HBM生產基地的方案。美光壹直將馬來西亞工廠作為檢測及組裝等後工序基地運營，此次計劃將把部分工廠轉換為HBM專用生產線。
HBM是將多個DRAM垂直堆疊起來，劃時代地提高數據處理速度的存儲器。業界相關人士評價道：“HBM的核心是DRAM之間的結合有多精巧，因此後工序的重要性不亞於前工序”，“從這個角度來看，轉換負責後工序的馬來西亞工廠是有效的戰略。”
據悉，美光公司正在推進在本公司最大的HBM生產基地臺灣臺中增設。核心研究開發（R&D）據點美國愛達荷州總公司正在加快HBM研究人力和設施的擴大速度。以2027年正式啟動為目標的日本廣島工廠也計劃集中生產HBM用DRAM。
與三星電子、SK海力士相比，雖然美光是HBM的後起之秀，但今年2月表示最先開始批量生產英偉達（NVIDIA）用第4代HBM（HBM3E），令業界大吃壹驚。雖然SK海力士立即回應稱“世界上首次批量生產的是我們”，但業界評價說，美光成功向英偉達供貨本身就是壹種威脅。
美光表示，明年將把5%左右的市場占有率提高到20~25%。HBM在整個DRAM市場所占的比重預計將從去年的8%擴大到今年的21%，明年將擴大到30%以上，因此將通過攻擊性的投資來扭轉局面。
但是，國內半導體業界也有分析認為，美光最近增設的工廠在明年或後年才能正式啟動，因此很難迅速縮小占有率差距。據業界透露，三星電子、SK海力士的HBM產量是美光公司的6倍，差距很大。也有人指出，美光在投入產出率等品質方面尚未得到完全驗證。
三星電子和SK海力士也為了不輸掉主導權之爭，正在擴大生產量。三星電子計劃今年將HBM供應規模比前壹年增加3倍，明年也將擴大2倍以上。 SK海力士計劃在計劃於明年年末竣工的忠北清州M15X工廠集中生產HBM等DRAM。
另壹方面，也有人提出HBM供應過剩的可能性。韓國投資證券研究員蔡敏淑（音）分析稱：“如果三星電子在第三季度（7~9月）內完成英偉達認證，並改善設備擴張和投入產出率，從2025年下半年（7~12月）開始可能會出現供大於求的局面。”
朴賢益記者 beepark@donga.com
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