SK海力士在世界上首次開發出10納米級“第六代DRAM”

SK海力士在世界上首次成功開發出了采用最新工藝的DRAM。在人工智能（AI）時代，不僅是系統半導體，在存儲器半導體上，為了實現高性能配置的技術競爭也越來越激烈。

SK海力士方面29日表示，成功開發出了采用10納米（nm•1納米是10億分之1米）級第6代1c工藝的DDR5。10納米級DRAM工藝從第壹代1x（18納米）開始，依次升級為1y（17納米）、1z（15~16納米）、1a（13~14納米）、1b（12~13納米）、1c（11~12納米）。表示半導體電路線幅的納米越低越細微，性能就越高，電力效率也得到改善。去年5月，三星電子率先開始批量生產第5代1b，而SK海力士此次宣布，首次成功開發出第6代1c工藝。

SK海力士強調，以擴張1b工藝基礎的方式開發了1c，通過這種方式減少了工藝高度化中可能發生的執行錯誤。SK海力士表示：“這是將1b的優勢最有效地轉移到1c上。年內將完成1c DRAM量產準備，從明年開始供應產品。”以1c為基礎的DRAM將主要用於高性能數據中心。運行速度比上壹代加快了11%，電力效率改善了9%以上。另外，通過設計革新，1c工藝的生產效率比1b提高了30%以上。

AI時代最受矚目的存儲器之壹的高帶寬存儲器（HBM）的性能改善也值得期待。1c技術有望應用於HBM第七代HBM4E。目前，HBM的主流是HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）。SK海力士此次開發的1c工藝是針對中長期投資組合的最新技術。

三星電子也計劃盡快開發適用1c的DRAM，並在年內批量生產。存儲器業界已經開始爭奪第7代1誒（10納米）的主導權。10納米是存儲器中被認為是“膜之墻”的領域，關鍵在於誰能率先突破。


朴賢益記者 beepark@donga.com